骁龙835处理器规格曝光:八核10nm工艺

时间:2017-01-05小编:人气:

如果说2016年是骁龙820全面普及和骁龙821缓缓而来的一年,那么2017很有可能就是骁龙835称霸的一年。去年11月,高通公司表示将要推出采用10nm制程工艺的骁龙835处理器,据悉这款产品相比前代旗舰在性能上有27%提升,但功耗却下降了40%,这里指的前代旗舰,很有可能就是指骁龙821。

骁龙835处理器规格曝光:八核10nm工艺

高通骁龙系列芯片

外界猜测有关于这款处理器的消息最早将会与即将开始的CES展会上流出,不过现在外媒则提前曝光了骁龙835的规格。芯片核心方面,将采用八核心设计(4x2.45GHz大核、4x1.9GHz小核),大小核均为Kryo280架构,GPU为Adreno 540,支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存,整合了Cat.16基带。支持Quick Charge 4.0快速充电技术,基于三星10nm FinFET工艺打造。

骁龙835处理器规格曝光:八核10nm工艺

骁龙835

此外,骁龙835将相比前辈们更好的支持于已经兴起的VR设备。而最为抢眼的充电方面,QuickCharge 4.0能实现充电五分钟,提供5小时续航力、15分钟内将设备的电量充到50%,这一数据目前看来非常惊人。

骁龙835处理器规格曝光:八核10nm工艺

LG G6渲染图

至于第一款搭载这颗芯片的智能手机会花落谁家,目前局势尚不清晰,外界猜测三星S8、LG G6以及小米6都有很大的可能成为这款处理器的首发产品。

安卓市场
  • 选购指南
  • 基础课堂
  • 进阶使用
  • 玩机技巧
  • 故障答疑
  • 刷机教程
  • 美化学堂
用安卓手机 装安卓市场
返回顶部